웨이비스, 335억원 BW 발행..."차세대 RF GaN 반도체 생산 인프라 구축"

[글로벌에픽 신규섭 금융·연금 CP] 국내 유일의 RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체 종합반도체업체(IDM)인 웨이비스가 차세대 반도체 생산 인프라 구축을 위한 대규모 자금 조달에 나섰다.

웨이비스(대표이사 한민석)는 335억원 규모의 신주인수권부사채(BW) 발행을 결정했다고 16일 공시했다. 웨이비스 창립 이래 최대 규모의 자금 조달이다.

조달 자금은 차세대 RF GaN 반도체 및 응용제품의 통합 생산시설 구축을 위한 선제적 투자를 비롯해 Ku-band 및 MMIC(마이크로파 집적회로) 라인 설비 증설, 신규 생산 인프라 구축 등에 활용할 계획이다.

해당 시설은 천안 테크노파크 인근에 위치하며, 초고주파 대역 RF GaN 반도체 생산장비, 군사규격 신뢰성 검증시설, RF 측정 시설 등을 완비해 2027년 초까지 신규 공장 가동 및 본사 이전을 차질 없이 완료할 예정이다.
이번 BW는 무이자 조건과 시가 대비 할인 없는 전환가격 조건 등 기존 주주에게도 우호적인 조건으로 설계됐다. 자본 효율성과 기업가치 보호를 동시에 고려한 조건으로 시장에서 긍정적인 평가를 받고 있다. 특히 콜옵션 행사한도를 35%까지 설정한 점은 웨이비스가 향후 기업가치 상승에 대한 강한 자신감을 시장에 표명한 것으로 해석된다.

회사 측에 따르면, 이번 투자에는 IBK캐피탈, 삼성증권, SBI인베스트먼트, 스마일게이트인베스트먼트 등 다수 기관이 참여했다. 예상보다 높은 기관투자자들의 관심과 참여로 발행 규모를 당초 계획했던 300억원에서 335억원으로 증액하게 됐다.

투자업계 관계자는 "투자자들의 높은 관심으로 인한 증액은 웨이비스의 성장 가능성과 기술력에 대한 시장의 신뢰를 방증하는 것"이라고 전했다.

웨이비스는 국내 유일의 RF GaN 반도체 IDM(종합반도체업체)으로, 고출력 RF 반도체의 수급 불안정성이 심각한 글로벌 시장에서 안정적인 양산 실적을 보유하고 있다. 특히 국내외 첨단무기체계, 안티드론 등 다양한 애플리케이션에 RF GaN 반도체를 공급하며 국방 기술 자립화에 실질적으로 기여하고 있다.

이러한 기술적 기반은 최근 급변하는 국제 정세 속에서 더욱 주목받고 있다. 드론 및 유도탄 위협이 증가함에 따라 RF GaN 반도체의 전략적 중요성이 급격히 부각되고 있으며, 정부의 K-방산 '4대강국' 도약 전략과 맞물려 국내 방산 산업의 수출 주도 성장이 본격화될 것으로 전망된다.

웨이비스는 산업 흐름에 발맞춰 작년 말 64억원 규모의 X-대역 프론트엔드 모듈(FEM) 국책 과제를 수주하며 기술력과 사업성을 동시에 입증했다. 또한 국내 최초로 X-band MMIC Foundry 양산 인프라를 구축했다. 이러한 성과는 웨이비스가 단순한 부품 공급을 넘어, 국방·우주·통신 산업의 핵심 파트너로 자리매김하고 있음을 보여준다.
웨이비스 관계자는 "이번 자금 조달은 단순한 자금 유치 차원을 넘어, 차세대 RF GaN 반도체 분야에서 기술 경쟁력을 강화하기 위한 전략적 투자"라고 밝혔다. 이어 "고부가가치 사업 영역인 MMIC, FEM, Foundry 분야로의 확장을 가속화하고, 첨단 무기체계용 초고주파 기술 개발 및 생산 최적화를 통해 핵심 국방 반도체의 수급 불안정성 해소에 기여하며, 국방 기술 자립을 이끄는 전략적 파트너로 성장할 것"이라고 강조했다.

[글로벌에픽 신규섭 금융·연금 CP / wow@globalepic.co.kr]