[특징주]RF머트리얼즈, GaN 전력반도체 AI데이터센터 전력난 해결책...GaN 패키지 개발 양산 급등

전력반도체 사업을 하는 RF머트리얼즈가 급등세다. 질화갈륨(GaN)을 사용한 전력반도체가 AI 데이터센터 전력난 해결책으로 부상하고 있다는 소식이 호재로 작용한 모습이다.

10일 업계에 따르면 GaN이 실리콘(Si) 전력반도체를 대체할 것이라는 전망이 제기됐다.

최근 인공지능(AI) 수요가 급증하면서 전력난 우려가 큰 가운데 GaN 전력반도체가 데이터센터에도 적용되면 전력 소모를 줄일 수 있다는 점이 부각되고 있다.

이날 한국투자증권은 GaN 전력반도체 소자 시장은 이제 개화하기 시작한 만큼 기존 실리콘 전력반도체를 대체, 성장 속도가 빠를 것으로 전망했다.
한편, RF머트리얼즈는 광화합물 반도체인 인듐인과 갈륨비소를 비롯해 RF화합물 반도체인 질화갈륨과 갈륨비소를 트랜지스터와 전력증폭기에 안착시킬 수 있는 패키지를 제조, 판매하는 사업을 영위하고 있다.

글로벌에픽 증권팀 박진현 기자 epic@globalepic.co.kr